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Stratus™ Wafer S200 Plating/ Stratus S200电化学沉积

100-200 mm Wafer Processing / 100-200mm 晶圆处理

 

 
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Configurable for up to 6 metals / 最多可配置六种不同的电镀材料
    UBM/RDL / 凸块下金属层/重布线工艺
    RF Filters / 射频滤波器晶圆级封装
    Power Devices / 功率器件封装


Features 特征
    True Bridge Tool capability / 灵活的桥接能力
    ShearPlate™ technology for thinnest boundary layer/ 剪切流技术形成最薄边界层
    Substrate handling flexibility/ 多种类型基板处理能力
    Safest fragile wafer handling / 易碎材料处理能力
    Stress control / 应力控制


Substrates 基板
    Silicon, eWLB, Glass, LiNbO3/LiTaO3, GaAs, Sapphire, Bonded/ 硅片, 嵌入式晶圆级球栅阵列,玻璃,铌酸锂,钽酸锂,砷化镓等